高速半桥栅极驱动器，具有典型的0.29A源电流和0.7A灌电流，选用DSO-8封装，用于驱动功率MOSFET和IGBT。产品型号

　　氮化镓和GeneSiC碳化硅功率半导体职业领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）正式对外发布第三代快速（G3

　　碳化硅MOSFETs产品系列，为完成最快的开关速度、最高的功率和功率密度的增进进行优化，

　　N沟道功率MOSFET UTC1N70-LC数据手册.pdf》材料免费下载

　　75A沟槽和场阻IGBT JJT75N65HE数据手册.pdf》材料免费下载

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　　近来，国内半导体功率器材领军企业扬州扬杰电子科技股份有限公司（以下简称“扬杰科技”）再度改写业界认知，推出了一款专为光伏储能充电桩等高频使用而规划的50A

　　封装IGBT单管 /

　　-2封装，具有2个引脚，不只增加了安规间隔，提高了可靠性，并且适用于多种使用场景。

　　请各位大佬帮我看看， 图中赤色方框的贴片封装，通体黑色，不带字的器材是什么？